(报告出品方/作者:德邦证券,陈海进,徐巡)
1.IC设计板块销售增速预计将逐步触底后恢复半导体销售仍处于下行周期,但我们预计销售增速或将于 2023 年上半年触 底。根据美国半导体产业协会(SIA)数据,2022 年 10 月,全球半导体市场销售 额为 469 亿美元,同比下降 5%,而中国半导体市场销售额为 142 亿美元,同比 下降 17%。目前全球半导体销售仍处于下行周期中。从上一轮半导体销售数据来 看,下行周期时间为 1.5-2 年左右。考虑到本轮下行周期从 2021 年中开始,所以 我们预计中国半导体销售增速或将于 2023 年上半年触底。IC 市场历史上还未出现过连续四个季度下跌,2023Q2 或迎来增长。IC Insights 最新报告指出,IC 市场历史上还未出现过连续四个季度下滑,继 IC 市场 在 2022 年 Q3 下跌 9%之后,IC Insights 预测 2022Q4 及 2023Q1 或继续下跌 8%和 3%,预测 2023 年 Q2 将出现 3%的增长。
2.晶圆厂稼动率下行,IC设计厂商成本端迎改善部分晶圆厂稼动率下滑,IC 设计厂成本端预计将改善。2022 年 Q3 开始,主 要晶圆厂如联电、世界先进、中芯国际等稼动率出现不同程度下滑,展望2022Q4, 联电预计稼动率将由超过 100%过载状态降至 90%,台积电表示从 2022Q4 开始 6nm 和 7nm 制程产能利用率将下滑并持续至 2023 年上半年。我们预计伴随主要 晶圆厂稼动率下滑,晶圆单价或出现下降,IC 设计厂商成本预计降低。
智能手机出货增速触底,库存或随之去化并逐渐恢复正常。根据 IDC 数据, 2022Q3 全球智能手机出货 3.02 亿部,同比下降 10%,处于历史相对低位,2009 年至今,仅 2020Q1 和 2020Q2 增速低于-10%,因此我们预测,全球智能手机出 货增速或已触底,有望底部盘整后实现反弹。中国智能手机 2022Q3 出货 7110 万 部,同比下滑 12%,较 2022Q2 降幅收窄。据联发科和台积电等企业表述,我们 预计库存或在 2022Q4 下滑,2023 上半年回到正常水平。
全球 TV出货量降幅收窄,PC 出货量增速触底,部分 PC 厂商库存逐渐恢复 到正常水平。根据奥维睿沃数据,全球 TV 出货量 2022Q3 为 5400 万台,同比下降 2.53%,较 2022Q2 降幅(-9.41%)收窄。据 IDC 数据,全球 PC 出货量 2022Q3 为 7430 万台,同比下降 14.89%,较 2022Q2 降幅(-15.52%)收窄,2022Q2 全 球 PC 出货量同比降幅已经达到 2006 年以来最大。结合部分 PC 厂商对于库存水 平的预估,预计 2022 年底至 2023Q2 库存逐渐恢复到正常水平。
4.我国IC国产化率仍低我国 IC 国产化率仍低,国内企业大有可为。根据 IC Insights 数据,2021 年 我国 IC 自给率仅为 16.7%,预计 2026 年预计达到 21.2%,总体处于较低水平。IC 设计整体国产化率同样较低,根据 SIA 数据,2021 年中国大陆在 IC 设计中的 全球市占率为 7%,其中在分立器件、模拟等细分类别中占 13%,在逻辑 IC 中占 9%,而在存储 IC 中占比很小。国内 IC 设计产业未来仍大有可为。
新能源汽车以及新能源发电应用的快速成长,给功率半导体公司继续带来强 劲增长动力。2022 年 10 月,国内新能源车产量为 76.2 万辆,同比增长 92%,且 在中国汽车当月产量中的渗透率达到 29.3%,较此前进一步提升。2022 年 Q3, 国内光伏新增装机量达到 21.9GW,同比也有翻倍左右成长。随着全球对清洁能 源的重视,光伏全球新增装机量预计未来几年仍保持较好增长。除了光伏,风电、 储能等新能源应用也在快速发展。功率半导体作为新能源车以及光伏中逆变器的 主要部分,未来继续受益于下游领域的高成长。
新能源下游应用市场空间大。根据英飞凌的数据,光伏每 MW 装机量对应的 功率器件价值量在 2000~5000 欧元。按照英飞凌数据的中间值(3500 欧元/MW) 和目前汇率(按 12 月 1 日欧元中间价 7.42)计算,则对应光伏每 GW 装机量的 功率器件价值量约为 2600 万元。今年全球光伏新增装机预计达到 250GW(CPIA 乐观口径),那么对应全球光伏中功率器件市场规模在 65 亿元。考虑到中国企业 在光伏行业处于全球领导地位,国产功率公司在光伏领域大有可为。
从国产化率来看,当前功率公司的全球市占率仍较低。根据英飞凌和 Omdia 的数据,在 IGBT 单管、IPM、IGBT 模块的全球前十大供应商中,中国公司的份 额都不高于 5%,显示中国功率器件公司的全球份额还处于很低的状态。未来随着 上游产能的扩充以及中国功率公司产品的升级完善,预计国产公司份额将进一步 提升。
功率公司存货周转水平整体健康。从存货周转天数来看,功率公司在 2022 年 三季报时的存货周转天数大部分处于 180 天以下,保持在较合理的位置,其中东 微半导、宏微科技、时代电气的存货周转天数环比有所下降,反映下游新能源需 求保持高景气度。IGBT 单管价格保持坚挺,中低压 MOSFET 价格逐步企稳。根据 bom.ai 数 据,中低压 MOSFET 渠道价格经过今年以来的大幅下降后,近期降幅已经明显收 窄,且部分料号价格开始企稳。根据我们跟踪的料号价格来看,大部分中低压 MOSFET 渠道价格跌至 2021 年初水平,预计后续进一步下跌空间有限。另一方 面,受益于新能源需求的增长,高压领域中的 IGBT 单管渠道价格仍保持坚挺。
功率环节建议关注 IGBT 以及下游应用不断优化的标的。对于功率板块,我 们后续建议关注两个方向:产品往高端升级、跟随终端客户上量的 IGBT 公司,包括斯达半导、宏微 科技等。随着国产 IGBT 产品的逐步成熟,明年预计将导入更多中高端车 型以及光伏模块应用。通过今年和下游大客户的合作配套,预计明年国 产 IGBT 供应商的份额将进一步提升。下游应用结构不断优化、中低压产品后续降价空间有限的公司,包括扬 杰科技、新洁能等。根据渠道价格跟踪,中低压 MOSFET 产品的渠道价 格已降至低位,后续的进一步下降空间较为有限,使得这一块业务的后 续影响变小。另一方面,国产功率器件公司的产品结构和下游应用也在 往高压、高成长领域拓展,使得明年下游结构将得到优化。
斯达半导是国内 IGBT 龙头,新能源业务占比快速提升。2021 年,斯达半导 IGBT 模块的全球份额为 3%,排名全球第六位,国内第一位。2022 年上半年,斯 达半导新能源业务营收达到 5.47 亿元,同比增长 198%,从而使得该业务收入占 主营业务收入比例进一步提升。光伏和汽车 IGBT 产品快速放量。2022 年上半年,公司的 650V/1200V单管 IGBT 和模块可以为户用型、工商业、地面电站提供从单管到模块全部解决方案。公司应用于光伏行业的 1200V IGBT 模块在 1500V系统地面电光伏电站和储能系 统中开始批量应用。全球储能需求在快速扩张中,预计将带动斯达 IGBT 模块的 出货。在汽车 IGBT 模块方面,公司 2022 上半年配套超过 50 万辆新能源车,预 计下半年配套数量将进一步增加。
宏微科技专注于功率半导体的单管和模块。宏微科技自成立以来一直从事 功率半导体芯片、单管和模块的研发、生产和销售。目前公司产品已涵盖 IGBT、FRED、MOSFET 芯片及单管产品 100 余种,IGBT、FRED、 MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品 400 余种。公司产品应用于工业控 制(变频器、电焊机、UPS 电源等),新能源发电(光伏逆变器和风能变流 器)、电动汽车(电控系统、空调系统和充电桩)等领域。宏微和光伏大客户深入合作,单管、模块均实现供货。2022 年上半年,公 司基于微沟槽技术的 650V 光伏 IGBT 单管产品实现批量交付;第七代微沟槽 IGBT M7i 首颗产品已通过客户认证并收获小批量订单。在模块方面,公司的光 伏逆变器用 IGBT 模块已有部分产品实现大批量供货,而车用 820A/750V 模块 产品已获得客户验证并开始批量交付。
扬杰科技是老牌分立器件厂商,通过 MCC 品牌拓展海外市场。扬杰科技成 立于 2000 年,采用 IDM、Fabless 并行的发展模式生产半导体分立器件和芯片。公司具体产品包括分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、 保护器件、小信号等。公司于 2015 年收购了美国 MCC 品牌,逐步拓展了海外销 售渠道。除布局器件外,公司于 2017 年收购成都青洋电子 60%股权,布局了上 游单晶硅片材料。公司完善 IGBT 产品布局,发力车规级功率器件。公司的 IGBT 模块(基于 8 英寸 1200V沟槽芯片工艺)也投入市场,布局工控、光伏逆变、新能源汽车等应 用领域。2022 年上半年,公司首款车规级沟槽 MOSFET 产品通过客户验证,而 第二颗超级结产品预计将于 2022 年底产出工程样品。
6.服务器IC:关注DDR5升级带来的产品迭代周期AMD 和英特尔新处理器纷至沓来,首次支持 DDR5 和 PCIe 5.0。英特尔和 AMD 作为全球服务器处理器芯片的绝对领导者,先后发布新款服务器用处理器。AMD 于 2022 年 11 月发布的第四代 EPYC 9004 系列处理器,采用全新的 Zen4 架构,最高支持 96 核心,还首次支持 DDR5 内存和 PCIe 5.0。英特尔第四代至 强可扩展处理器 Sapphire Rapids 也将于 2023 年 1 月发布,将支持 PCIe 5.0 和 DDR5 技术。Intel Sapphire Rapids 芯片的发布或加速 DDR5在服务器中的渗透。DDR5 有望拉动终端服务器更新。DDR5 带来更高的速度和效率,初代 DDR5 的运行速率为 4800MT/s,DDR4 最高为 3200MT/s,速度提升了 50%。初代 DDR5 最低可支持 1.1V 工作电压,对比采用 1.2V的 DDR4 功耗进一步降低,可以为服 务器带来能耗降低的优势。我们认为终端云服务器厂商有望集中更新服务器,行 业景气度有望进一步提升。
带动内存接口芯片价量齐升。DDR5 的速率提升要求接口芯片在容量、速率、 功耗和信号完整性等主要参数上进一步升级。根据澜起科技公告,除了配套 DDR5 做了容量、速度、功耗、完整性上的提升外,其第一子代 RCD 芯片提供了奇偶校 验功能,DB 芯片的数据预取提升至 16 位。性能的升级和功能的增加将带来接口 芯片 ASP 的大幅提升。内存模组在 DDR4 的“1+9”架构提升为 DDR5 的“1+10” 架构,DB 用量也将提升。目前 DDR5 内存接口芯片的竞争格局与 DDR4 世代类 似,全球只有三家供应商可提供 DDR5 第一子代的量产产品,分别是澜起、瑞萨 电子和 Rambus。
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